20N3LG TO251
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道
20N3LG TO251的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）14A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻70mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）3.5W
类型N沟道
20N3LG TO251
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| 20N3LG TO251 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道 | VBsemi(台湾微碧) |  | 808.23 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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10+:￥1.1996
30+:￥1.1218
100+:￥0.9396
500+:￥0.90846
1000+:￥0.89307
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